根据给定栅压的漏源电压，MOSFET通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围，其中的电流随着外加电压的小幅增大呈指数增长，这是由碰撞电离导致的。此模型介绍如何使用瞬态求解器对MOSFET中的碰撞电离进行建模，
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