在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。例如，日历、短信息和电话簿（或通讯录）可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

原理

动态RAM的工作原理和静态RAM一样，动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读选择线和写选择线也是分开的。

写操作时

写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。让我们看一下动态效果。

读操作时

先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相在送往数据总线。

类别与相关产品

同步

1：双倍数据速率2存储器(DDR2)

双倍数据速率2存储器(DDR2)一直以球形网格阵列(BGA)封装方式供应。他们具有3纳秒，甚至2.5纳秒的低循环次数(Cycletime)，因此可达到800兆赫(MHz)的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间(Latency)。不过，双倍数据速率2存储器(DDR2)速度明显快于双倍数据速率1存储器。4/8和16比特(bit)总线带宽情况下，他们的存储容量范围从256兆比特(Mbit)直至整整2千兆比特(Gbit)。

相关产品：

尔必达(Elpida):

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

海力士(Hynix)：

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

美光(Micron)：

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

奇梦达(Qimonda)前身为英飞凌(Infineon)：

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

茂德科技(Promos)：

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

三星(Samsung)：

双倍数据速率2存储器(DDR2)256兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，球形网格阵列(BGA)

2：双倍数据速率1存储器(DDR1)

代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装(TSOP)或球形网格阵列(BGA)封装。双倍数据速率1存储器(DDR1)提供400兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从256兆比特到1千兆比特。双倍数据速率1存储器(DDR1)存储器需2.5V的电压及4,8,16或32比特的总线带宽。与双倍数据速率2存储器(DDR2)的区别：双倍数据速率1存储器(DDR1)存取和等待时间较短。

相关产品：

尔必达(Elpida):

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-512兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)

森富(Eorex)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-512兆比特，x16比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)

晶豪(ESMT)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-256兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/x32比特(bit),球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

钰创(Etron)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)64兆比特-256兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/x32比特(bit),球形网格阵列(BGA)

海力士(Hynix)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-512兆比特，x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)

蕊成(ISSI)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特–512兆比特，x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/x32比特(bit),球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

美光(Micron)：

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茂德科技(Promos)：

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奇梦达(Qimonda)前身为英飞凌(Infineon)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特-512兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)

三星(Samsung)：

双倍数据速率1存储器(DDR1)128兆比特–1千兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)

3：同步动态存储器(SDRAM)

同步动态存储器（简称为SDRAMs）以高达200MHz的时钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从16兆比特到512兆比特(16M–512Mbit)，在4/8/16/32比特(bit)总线带宽下可用。典型工作电压：3.3伏。封装：BGA（球形网格阵列）或TSOP（薄型小尺寸封装）。

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A-Device:

同步动态存储器(SDRAM)64兆比特–128兆比特，x16，薄型小尺寸封装(TSOP)

联笙电子(Amic)：

同步动态存储器(SDRAM)16兆比特–64兆比特，x16，薄型小尺寸封装(TSOP)

尔必达(Elpida):

同步动态存储器(SDRAM)64兆比特-512兆比特，x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)

森富(Eorex)：

同步动态存储器(SDRAM)64兆比特-256兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)

晶豪(ESMT)：

同步动态存储器(SDRAM)16兆比特–128兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

钰创(Etron)：

同步动态存储器(SDRAM)16兆比特–128兆比特，x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

海力士(Hynix)：

同步动态存储器(SDRAM)16兆比特–256兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)

蕊成(ISSI)：

同步动态存储器(SDRAM)16兆比特–512兆比特，x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

美光(Micron)：

同步动态存储器(SDRAM)64兆比特-512兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)，工业级温度。

茂德科技(Promos)：

同步动态存储器(SDRAM)128兆比特-256兆比特，x8/x16比特(bit),薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA),工业级温度。

奇梦达(Qimonda)前身为英飞凌(Infineon):

同步动态存储器(SDRAM)128兆比特–256兆比特，x4/x8/x16比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA)

三星(Samsung)：

同步动态存储器(SDRAM)64兆比特-512兆比特，x4/x8/x16/x32比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)，工业级温度

4：移动双倍数据速率(MobileDDR)

移动双倍数据速率(MobileDDR)存储器的存储容量范围从64兆比特到1千兆比特。总线带宽：1.8V工作电压下x16/x32比特(bit)。应用领域：所有移动设备，例如扫描仪，个人数码助理(PDA)、移动数码助理(MDA)、便携式媒体播放器(PMP)、移动电视、数码相机、MP3播放器...

相关产品：

Fidelix:

移动双倍数据速率(MobileDDR)，即将上市！

海力士(Hynix)：

移动双倍数据速率(MobileDDR)256兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA)，1.8V，扩展级温度。

美光(Micron)：

移动双倍数据速率(MobileDDR)256兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA)，1.8V，扩展级温度。

三星(Samsung)：

移动双倍数据速率(MobileDDR)256兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA)，1.8V，扩展级温度。

奇梦达(Qimonda)前身为英飞凌(Infineon)：

移动双倍数据速率(MobileDDR)256兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA)，1.8V，扩展级温度。

5：移动同步动态存储器(MobileSDRAM)

存储组件运行和待机电流非常低而容量却很大，。移动同步动态存储器(MobileSDRAM)可与传统的同步动态存储器(SDRAM)兼容，非常适用于移动通讯设备。工作电压：3.3伏，2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率(mobileDDR)相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列(BGA)进行封装，接触区域在其下面。

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联笙电子(Amic)：

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)16兆比特–128兆比特，x16比特(bit)，薄型小尺寸封装(TSOP)/球形网格阵列(BGA),1.8V

森富(Eorex)：

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)128兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),3.3V/1.8V

Fidelix:

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)32兆比特–256兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),3.3V/1.8V

海力士(Hynix):

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)256兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),1.8V

美光(Micron)：

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)64兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),1.8V

奇梦达(Qimonda)前身为英飞凌(Infineon)：

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)128兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),3.3V/2.5V/1.8V

三星(Samsung)：

移动同步动态存储器(MobileSDRAM)64兆比特–512兆比特，x16/x32比特(bit)，球形网格阵列(BGA),3.3V/2.5V/1.8V

异步

扩展数据输出(EDO)/快速页面模式(FPM)

扩展数据输出动态存储器/快速页面模式动态存储器(EDO/FPMDRAM)

扩展数据输出动态存储器(EDO)和快速页面模式动态存储器(FPM)在价值上并没有什么不同，但这无关于技术。它们的存储容量同样都从1兆比特到64兆比特，总线带宽x4/x8/x16比特(bit)。我们可以提供3.3V和5VTSOP(薄型小型封装)和SOJ(小型J形引线)封装。异步动态存储器不再大量生产，因此，价格较其它动态存储器要高。

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联笙电子(Amic)、晶豪(ESMT)、蕊成(ISSI)：

扩展数据输出动态存储器4兆比特–16兆比特，x16比特(bit)，小型外线式J形引线(SOJ)/薄型小尺寸封装(TSOP)，3.3V。

优缺点

经验证，动态存储器是采用超大容量的存储技术，但是，其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比，耗电量相对较高。优点：跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为。

应用领域

所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等。