吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。

结构特点

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

电容结构:双层金属化膜，内部串联结构

封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0)标准.

尺寸:适合于各种IGBT保护。

技术参数

电容量:0.0047to6.8μF

额定电压:700to3000Vdc

损耗角正切:

测试条件1000±20Hz，25±5℃.

Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4

绝缘电阻:3000s，s=MΩ.μF

测试条件1minute，100Vdc(25±5℃)

耐电压:2Ur(DC)测试条件10s，t25±5℃，1Min

工作温度:-40~+85℃

作用

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT电路尤其是大功率IGBT电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。，直流母线要尽量地短；第二，缓冲电路要尽可能地贴近模块；第三，选用低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT相匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT模块上的。显然，一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果，能限度地保护IGBT安全运行。