HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种，其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。HIT电池是单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池，制造工艺温度低、钝化效果好，具有很好的发展前景。现在人们有些习惯于用HIT表示异质结电池。

概述

HIT太阳能电池是采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT(HeterojunctionwithintrinsicThinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20.7%，开路电压达到719mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池按单位面积计算的发电量保持着水准。HIT具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效电池。HIT的转化效率越高，意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。

优点

低温制备：成本优势

发射极很薄：低吸收

宽带隙发射极：低吸收，高Voc

高Voc：高转换效率

低温度系数（转换效率对温度不敏感）：在温度高地区使用

高耐辐射性能：可应用在宇宙空间中

工艺流程

1.硅片清洗制绒

2.正面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜

3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜

4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜

5.丝网印刷制备电极

面临的挑战

1非晶硅太阳电池的研究，现在主要着重于改善非晶硅膜本身性质，以减少缺陷密度。严格控制a-Si/cSi界面质量，不断降低缺陷态密度。

2优化光陷，降低反射率。

3提高透明导电膜的电导率，透射率。

4降低金属栅线的接触电阻。