只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成PN结作为发射极。当基极B1和B2之间加上电压时，电流从B2流向B1，并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。
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