EPC2001FET是一种100VDS器件，RDS（ON）最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40VDS器件，RDS（ON）最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaNFET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。
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