【刻蚀解释】：暂无。
1 通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。
2 采用反应离子刻蚀，各向异性化学腐蚀及自限制热氧化过程在SOI衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。
3 通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导。
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4 由此解释了无刻蚀镀铁层具有高结合强度的原因。
5 等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。
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