【基区解释】:暂无。
(1) 对外延基区双极技术,硼硅玻璃自对准双极技术等进行了详细的分析和叙述。
(2) 实践说明,该法优于原长基区电阻率法。
(3) 研究了为提高基区少子寿命而进行磷吸收的机理。
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(4) 而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。
(5) 介绍了非对称型门极换流晶闸管的P基区结构。
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